Essendo anche una compagnia quotata pubblicamente, Samsung è solita essere abbastanza aperta sul suo andamento, anche quando si parla di problemi di microchip. Potreste ricordarvi di quando la dirigenza parlò degli errori commessi con la generazione S22, che portarono alla messa in pausa del programma Exynos, di una serie S23 con soli chip Snapdragon e soprattutto del passaggio di Qualcomm a TSMC. E in occasione della recente conferenza Korea Advanced Institute of Science & Technology, del ritardo tecnologico rispetto a Taiwan ha parlato proprio Kye Hyun Kyung, presidente della divisione Device Solutions, che racchiude le sottodivisioni Foundry, LSI e Memory, in pratica l’intera divisione semiconduttori di Samsung.
TSMC è almeno due generazioni davanti a Samsung, ma la compagnia sud-coreana non ci sta
Ultimamente Samsung non se la sta passando bene: se lato consumer è sempre uno dei nomi più grandi al mondo, sta vivendo una crisi dei semiconduttori che le sta facendo registrare perdite plurimiliardarie. Ma come afferma il presidente Kye Hyun Kyung, “la crisi verrà usata come punto di svolta per ampliare il divario con i concorrenti“. Parlando di limiti attuali, ha affermato che il processo a 4 nm di Samsung è 2 anni indietro rispetto a quello di TSMC, e lo abbiamo visto proprio con il fatto che i chip della serie S23 (nonché dei prossimi tablet e pieghevoli) siano prodotti dalle fabbriche taiwanesi. Per i futuri chip a 3 nm, si vocifera che Samsung abbia fatto passi in avanti, al punto che clienti TSMC come AMD e Qualcomm potrebbe fare affidamento ai suoi microchip; tuttavia, la stessa Samsung afferma che i 3 nm sono 1 anno indietro rispetto alla controparte taiwanese. Seppur Samsung abbia già iniziato a produrre chip a 3 nm, sarà TSMC la prima a portarli al grande pubblico con i prossimi iPhone 15 Pro e Pro Max.
La svolta dovrebbe arrivare con il passaggio ai 2 nm, dove Samsung crede di avere un vantaggio tecnologico grazie alla tecnologia GAA, acronimo che sta per Gate-All-Around. Questa nuova struttura dei transistor ne consente un tale miniaturizzazione, e fra i principali chipmaker è Samsung ad averla introdotta per prima con i primi chip a 3 nm (3GAE e 3GAP); secondo la compagnia sud-coreana, quindi, quando ci sarà il passaggio da 3 a 2 nm avrà un vantaggio rispetto a TSMC, i cui chip a 3 nm sono ancora con la precedente tecnologia FinFET e che potrebbe incappare nei classici ritardi di sviluppo quando c’è un passaggio evolutivo del genere, che invece Samsung avrà già superato. E non dimentichiamoci che all’orizzonte c’è anche Intel e la sua tecnologia RibbonFET, paragonabile a quella GAA, che guiderà i processi a 2 e 1,8 nm per diventare rivale di TSMC e Samsung.
Questa situazione si inserisce in un contesto geopolitico che vede la Sud Corea star investendo centinaia di miliardi per diventare la capitale dei semiconduttori, e Samsung affermare che dal 2028 i suoi microchip saranno il cuore dei supercomputer IA. In un precedente editoriale, vi ho raccontato come ChatGPT potrebbe essere l’arma segreta di Samsung, e i possibili accordi con Microsoft Bing potrebbero avercelo confermato.
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