Non è la prima volta che parliamo di memorie UFS 4.0: è più di un anno che esistono, grazie a Samsung, e sono proprio dall’azienda sud-coreana i primi smartphone a montarle (la serie S23). Ma il progresso tecnologico va avanti, e dopo Samsung anche il chipmaker statunitense Micron annuncia l’esordio della sua tecnologia UFS 4.0, con velocità ancora più elevate.
Stanno arrivando i primi smartphone con memorie Micron UFS 4.0, e saranno velocissimi
Are you ready for the next big thing in #mobile storage? Introducing Micron UFS 4.0 storage, purpose-built for flagship smartphones. Built on advanced 232-layer 3D NAND, it delivers best-in-class performance and power in capacities up to 1TB. https://t.co/PWqS252Ccc pic.twitter.com/lnAXWFlwOW
— Micron Technology (@MicronTech) June 21, 2023
Se quelle prodotte da Samsung toccano i 4.200 MB/s in lettura e i 2.800 MB/s in scrittura, le memorie UFS 4.0 di Micron fanno ancora di meglio: 4.300 MB/s in lettura e soprattutto 4.000 MB/s in scrittura. Questo si traduce in smartphone più rapidi ad accendersi del 20%, app che si aprono più rapidamente del 15% ma anche un’efficienza energetica migliorata del 25%. Traguardi che sono stati raggiunti grazie alla stampa di memorie flash 3D NAND a 232 livelli, in grado di memorizzare 3 bit per cella.
Micron afferma di aver spedito i primi sample a “produttori di smartphone e chipmaker in tutto il mondo“, ma non è ancora dato sapere quale sarà il primo brand a sfoggiarle. Saranno disponibili nei taglio da 256 GB, 512 GB fino a 1 TB, e non sorprenderebbe se i brand cinesi come Xiaomi, OPPO, vivo e relativi sub-brand volessero montarle per offrire prestazioni quanto più elevate possibili. Tuttavia, ricordiamo che Micron è stata bannata dalla Cina, perciò potrebbe rivelarsi difficile se non addirittura impossibile che ciò avvenga.
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