Aggiornamenti 05/09: aggiunti nuovi dettagli all’analisi del Kirin 9000S, li trovate nell’articolo.
Chi produce il Kirin 9000S che siede all’interno dei nuovi Huawei Mate 60 e 60 Pro (e forse a breve anche Pro+ e Porsche Design)? Sin dalla loro presentazione, attorno ai top di gamma Huawei aleggia un certo mistero sul SoC HiSilicon, con l’azienda che non sta facendo nulla per dipanarlo. Per la prima volta in tre anni, è riuscita a compensare il ban americano e tornare a prodursi chip da sola, senza l’ausilio necessario di Qualcomm o MediaTek. Ciò nonostante, non si ufficialmente nulla di questo Kirin 9000S, e tutto ciò che siamo riusciti a capire è solamente frutto dei test chi ha lo smartphone fra le mani.
Il teardown del Kirin 9000S rivela più dettagli sul SoC di Huawei Mate 60 e 60 Pro
Questo vale anche per il processo produttivo e quindi per il chipmaker incaricato di fabbricare il Kirin 9000S. Questo perché, nonostante abbia una divisione dedicata, HiSilicon è un chipmaker fabless e necessita quindi che un’azienda di terze parti si dedichi alla produzione fisica dei suoi semiconduttori. In passato veniva affidata a TSMC, ma ciò non può più avvenire causa ban, e lo stesso vale per gli impianti di Samsung.
Se prima era un’ipotesi (per quanto piuttosto papabile), adesso sarebbe una certezza: a produrre il Kirin 9000S sarebbe SMIC, il chipmaker cinese che da anni si vocifera stesse collaborando con Huawei per farla tornare a prodursi chip da sola. Differentemente dalle voci iniziali, il SoC non è a 5 bensì a 7 nm N+2, come rivela il teardown svolto da parte del team TechInsights. Parliamo quindi di una tecnologia di qualche generazione fa, e il perché è presto detto: SMIC è anch’essa bannata dagli USA e non può acquistare da ASML i macchinari litografici EUV (Extreme Ultraviolet) indispensabili per stampare a 5 nm e oltre, dovendo così affidarsi alla meno recente tecnologia DUV (Deep Ultraviolet). Per capirci, il processo produttivo a 7 nm risale al 2018, quando TSMC iniziò a produrre Apple A12 Bionic per la serie iPhone XS, a cui seguirono Snapdragon 855 e 855+ nel 2019.
Tuttavia, quando si parla di nanometri bisogna sempre aprire una grossa parentesi e fare i dovuti distinguo, come spiego in questo articolo. A partire dal fatto che il Kirin 9000S ha una superfice di 107 mm2, il 2% in più rispetto ai 105 mm2 del Kirin 9000 a 5 nm, per una densità dei transistor pressoché paragonabile fra i due, ricordando che Kirin 9000 ha una densità di circa 140 MTr/mm2.