In un nostro precedente articolo vi abbiamo parlato dell’inizio delle fase di test del nuovo chipset di Qualcomm – ovvero lo Snapdragon 820 – e della volontà dell’azienda di avviare la produzione di massa nel corso dell’estate, in modo tale da garantire l’uscita sul mercato dei primi device basati su questo SoC nel corso del quarto trimestre del 2015.
Il nuovo processore top di gamma di Qualcomm sarà basato su un’architettura proprietaria di nome Kryo e verrà realizzato utilizzando un processo produttivo a 14 nm, già utilizzato da Samsung nei suoi chipset più recenti della serie Exynos.
La nuova litografia consentirà al SoC di avere una migliore dissipazione del calore e un clock massimo di 3.0 GHz, oltre a consumi sensibilmente ridotti e dunque migliori performance.
Proprio nelle ultime ore sono emersi in rete i primi benchmark del nuovissimo Snapdragon 820, che sembra essere in grado di garantire delle ottime performance, specie in single-core, complice forse l’alta frequenza operativa e l’IPC (istruzioni per ciclo di clock) sensibilmente migliorato della nuova architettura di Qualcomm.
Nel celebre benchmark Geekbench, il SoC ha registrato ben 1732 punti nel single-core e 4970 punti in multi-core, punteggi che lasciano ben sperare per la versione finale del chip, visto che molto probabilmente il sample usato nel test è ancora un prototipo ancora in fase di sviluppo.
Attualmente lo Snapdragon 810 riesce ad arrivare ai 1200 punti circa in single-core, mentre l’ultimo Exynos di Samsung si avvicina ai 1500 punti, valori inferiori a quelli registrati dal prossimo e sempre più promettente Snapdragon 820, che tuttavia potrebbero subire ulteriori miglioramenti nella variante finale.
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