Anche se bisognerà attendere i prossimi anni affinché l’era dei 3 nm prenda il sopravvento, i centri di ricerca e sviluppo TSMC, Samsung e Intel stanno già lavorando al passaggio ai 2 nm. Ma se finora è stato il colosso taiwanese ad avere la meglio sulla controparte sud-coreana e statunitense, le ultime voci di corridoio pongono dubbi sull’andamento dei lavori da parte di TSMC. L’azienda starebbe riscontrando problemi tecnici e rallentamenti che potrebbero rischiare di farle perdere il quasi monopolio che ha sul mercato dei semiconduttori avanzati.
TSMC, Samsung e Intel: sfida all’ultimo transistor per la corsa ai 2 nm
Da sempre, essere i primi ad adottare microchip sui nuovi nodi produttivi è altamente rischioso, e l’impressione è che i clienti TSMC non siano particolarmente interessati ad abbracciare immediatamente la linea a 2 nm. È rischioso in termini di efficienza energetica e lo dimostra Apple, che pur essendo la prima a vantare chip a 3 nm sta avendo problemi di surriscaldamento, ed è rischioso in termini economici, visto che i prodotti a 2 nm dovrebbero essere sensibilmente più costosi.
Dubbi che farebbero tentennare clienti quali Apple, Qualcomm, MediaTek e NVIDIA, che a quanto pare non sarebbero così frettolosi di mettere le mani sui 2 nm di TSMC. A causa di una domanda inferiore del previsto, i lavori per la costruzione della fabbrica Hsinchu Baoshan Fab 20 sarebbero rallentati, e nonostante TSMC abbia smentito i ritardi, si nota che fra le fabbriche future soltanto quella di Kaohsiung sta venendo costruita, mentre quella di Taichung sarebbe slittata al prossimo anno e per quella di Taichung Zhongke se ne riparlerebbe col futuro passaggio a 1,4/1 nm.
Se inizialmente si prevedeva che i primi chip TSMC a 2 nm sarebbero arrivati nel 2025, adesso l’anno di debutto sarebbe slittato al 2026. Anche perché TSMC sta ancora producendo microchip utilizzando la vecchia tecnologia FinFET, meno evoluta in termini di miniaturizzazione rispetto a quella GAAFET a cui TSMC passerà coi 2 nm ma a cui Samsung è già passata con i suoi 3 nm. Senza dimenticarci di Intel, che grazie alle sue tecnologie RibbonFET e PowerVia si prepara ai 2 e 1,8 nm.
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