Se finora è stata TSMC ad avere il coltello dalla parte del manico in materia di processi produttivi, i 2 nm di Samsung sembrano far gola a molti: non soltanto a Qualcomm ma anche ad ARM. Sta per avvenire la transizione dagli attuali 4 nm ai prossimi 3 nm, e con essa l’introduzione della tecnologia Gate-All-Around che permetterà un’ulteriore miniaturizzazione, tecnologia che verrà sfruttata anche dal chipmaker britannico per i core Cortex-X di prossima generazione.
Samsung e ARM annunciano la collaborazione per i futuri Cortex-X a 2 nm
La collaborazione con la divisione semiconduttori Samsung Foundry consentirà ad ARM di migliorare prestazioni ed efficienza energetica dei suoi core computazionali Cortex-X grazie alla tecnologia GAA MBCFET a 3 e 2 nm; non a caso, si vocifera che i futuri core Cortex-X5 dovrebbero segnare “il più grande aumento delle prestazioni IPC anno su anno degli ultimi cinque anni“. Per accelerarne lo sviluppo verrà introdotta anche la soluzione DTCO (Design-Technology Co-Optimization), con cui progettazione e ottimizzazione avvengono simultaneamente in modo da accorciare le tempistiche di sviluppo dei microchip.
La roadmap di Samsung ci fa sapere che, dopo l’introduzione nel 2022 del nodo SF3E a 3 nm con tecnica 3GAE, il 2024 sarà l’anno in cui esordirà il nodo SF3; nel 2025 sarà poi il turno della sua evoluzione SF3P con tecnica 3GAP+, a cui seguiranno i nodi SF2 ed SF2P a 2 nm fra 2025 e 2026, per concludere (per ora) con il nodo SF1.4 a 1,4 nm in arrivo nel 2027.
Stando a quanto affermato da Samsung, il suo processo a 2 nm garantirà un aumento delle prestazioni del 12%, un incremento dell’efficienza del 25% e una riduzione dello spazio occupato dal chip del 5%. Rispetto alla storica tecnologia FinFET, quella GAA MBCFET (Gate-All-Around Multi-Bridge-Channel Field Effect Transistor) prevede una struttura dei transistor dove i canali toccano il gate non su 3 ma su 4 lati, potendo controllare la corrente in maniera più precisa e ridurre la possibilità di perdita di corrente.
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