Anche se bisognerà attendere i prossimi anni affinché l’era dei 3 nm prenda il sopravvento, i centri di ricerca e sviluppo TSMC, Samsung e Intel stanno già lavorando al passaggio ai 2 nm. Ma se finora è stato il colosso taiwanese ad avere la meglio sulla controparte sud-coreana e statunitense, le ultime voci di corridoio pongono dubbi sull’andamento dei lavori da parte di TSMC. L’azienda starebbe riscontrando problemi tecnici e rallentamenti che potrebbero rischiare di farle perdere il quasi monopolio che ha sul mercato dei semiconduttori avanzati.
TSMC, Samsung e Intel: sfida all’ultimo transistor per la corsa ai 2 nm
Da sempre, essere i primi ad adottare microchip sui nuovi nodi produttivi è altamente rischioso, e l’impressione è che i clienti TSMC non siano particolarmente interessati ad abbracciare immediatamente la linea a 2 nm. È rischioso in termini di efficienza energetica e lo dimostra Apple, che pur essendo la prima a vantare chip a 3 nm sta avendo problemi di surriscaldamento, ed è rischioso in termini economici, visto che i prodotti a 2 nm dovrebbero essere sensibilmente più costosi.
Dubbi che farebbero tentennare clienti quali Apple, Qualcomm, MediaTek e NVIDIA, che a quanto pare non sarebbero così frettolosi di mettere le mani sui 2 nm di TSMC. A causa di una domanda inferiore del previsto, i lavori per la costruzione della fabbrica Hsinchu Baoshan Fab 20 sarebbero rallentati, e nonostante TSMC abbia smentito i ritardi, si nota che fra le fabbriche future soltanto quella di Kaohsiung sta venendo costruita, mentre quella di Taichung sarebbe slittata al prossimo anno e per quella di Taichung Zhongke se ne riparlerebbe col futuro passaggio a 1,4/1 nm.
Se inizialmente si prevedeva che i primi chip TSMC a 2 nm sarebbero arrivati nel 2025, adesso l’anno di debutto sarebbe slittato al2026. Anche perché TSMC sta ancora producendo microchip utilizzando la vecchia tecnologia FinFET, meno evoluta in termini di miniaturizzazione rispetto a quella GAAFET a cui TSMC passerà coi 2 nm ma a cui Samsung è già passata con i suoi 3 nm. Senza dimenticarci di Intel, che grazie alle sue tecnologie RibbonFET e PowerVia si prepara ai 2 e 1,8 nm.